您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > B字母型号搜索 > B字母第178页 > BU2525AF

BU2525AF中文资料

BU2525AF图片

BU2525AF外观图

  • 大小:70.82KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:Silicon Diffused Power Transistor
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:5.2mm
  • 封装类型:TO-247F
  • 尺寸:21.5 x 15.3 x 5.2mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:45000 mW
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
  • 最大直流集电极电流:12 A
  • 最大集电极-发射极电压:800 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:5 V
  • 最小直流电流增益:5 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单
  • 长度:15.3mm
  • 高度:21.5mm

BU2525AF供应商

更新时间:2022-12-31 14:37:01
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购BU2525AF进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的BU2525AF信息由会员自行提供,BU2525AF内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买BU2525AF产品风险,建议您在购买BU2525AF相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。